o:29999 MONTE CARLO OPTIMIZATION OF REDUNDANCY OF NANOTECHNOLOGY COMPUTER MEMORIES IN THE CONDITIONS OF BACKGROUND RADIATION MONTE KARLO OPTIMIZACIJA REDUNDANCIJE NANOTEHNOLOŠKIH KOMPJUTERSKIH MEMORIJA U USLOVIMA POZADINSKOG ZRAČENJA en Abstract: The aim of this paper is applying statistical laws and enlargement law to determine a redundancy level of nanotechnology computers with a pre-given statistical confidence. We have tested radiation hardness of MOS memory components (commercial EPROM memory) using both Monte Carlo simulation method and experimental procedure. Then, by using the statistical enlargement law, we have performed the analysis of redundancy optimization of MOS structure for nanotechnology computers, under the influence of background radiation, and obtained more than satisfying results. Sažetak : Cilj ovog rada je primena statističkih zakonitosti i zakona porasta verovatnoće da bi se odredio stepen redundancije nanotehnolo{kih računara uz unapred zadatu statističku sigurnost. Prvo je ispitana radijaciona otpornost MOS memorijskih komponenata (komercijalnih EPROM memorija) pomoću simulacije Monte Karlo metodom, kao i eksperimentalnom procedurom. Zatim je korišćenjem zakona porasta verovatnoće, urađena analiza optimizacije postupka redundancije MOS struktura nanotehnološki izrađenih računara, koji su izloženi dejstvu pozadinskog zračenja, i dobijeni su veoma zadovoljavajući rezultati. Keywords: nanotechnology computer memory, optimization, redundancy, Monte Carlo simulation, radiation Ključne reči: nanotehnološka računarska memorija, optimizacija, redundancija, Monte Karlo simulacija, zračenje 1552099 10.2298/NTRP1802208D 1552101 1451-3994 2023-06-05T08:51:01.077Z 44 no 46 Edin Ć. Dolićanin Državni univerzitet u Novom Pazaru 0000-0002-9896-8575 Irfan S. Fetahović Državni univerzitet u Novom Pazaru person 94595849 0000-0001-5788-1273 application/pdf 1514883 https://phaidrabg.bg.ac.rs/o:29999 no yes 1 70 92000001 20A01 Nuclear Technology & Radiation Protection 33 2 208 216 2018