o:29980 ANALYSIS OF CORRELATION AND REGRESSION BETWEEN PARTICLE IONIZING RADIATION PARAMETERS AND THE STABILITY CHARACTERISTICS OF IRRADIATED MONOCRYSTALLINE Si FILM ANALIZA KORELACIJE I REGRESIJE IZMEĐU PARAMETARA ČESTIČNOG JONIZUJU]EG ZRAČENJA I STABILNOSTI KARAKTERISTIKA OZRAČENOG MONOKRISTALNOG Si FILMA en Abstract: This paper deals with the analysis of correlation and re gression between the parameters of particle ionizing radiation and the stability characteristics of the irradiated monocrystalline silicon film. Based on the presented theoretical model of correlation and linear regression between two random variables, numeric and real experiments were performed. In the numeric experiment, a simulation of the effect of alpha radiation on a thin layer of monocrystalline silicon was per formed by observing a number of vacancies along the film depth resulting from a single incident alpha particle. In the real experiment, the irradiation of a thin silicon film by alpha particles from a radioactive Am-241 alpha emitter was per formed. The observed values of radiation effect on the Si film were specific resistance and the concentration of free charge carriers. The results showed a fine concordance between numeric and real experiments. Correlation verification of the observed values was presented by linear regression functions. Sažetak : U ovom radu analizirane su korelacija i regresija između parametara čestičnog jonizujućeg zračenja i stabilnost karakteristika ozračenog monokristalnog silicijumskog filma. Na osnovu prikazanog teorijskog modela korelacije i linearne regresije između dve slučajne promenljive izvršeni su numerički i realni eksperimenti. U numeričkom eksperimentu simulirano je dejstvo alfa zračenja na tanki sloj monokristalnog silicijuma, posmatraju}i broj šupljina po dubini filma nastalih po jednoj incidentnoj alfa čestici. U realnom eksperimentu ozračen je tanak silicijumski film alfa česticama iz radioaktivnog alfa emitera Am-241. Posmatrane veličine dejstva zračenja na Si film bile su specifična otpornost i koncentracija slobodnih nosilaca naelektrisanja. Rezultati su pokazali dobro slaganje izme|u numeričkog i realnog eksperimenta. Verifikacija korelacije posmatranih veličina prikazana je linearnim regresionim funkcijama. Keywords: alpha particle, Si film, vacancy, specific resistance, free charge carrier, correlation, regression Ključne reči: alfa čestica, Si film, šupljina, specifična otpornost, korelacija, regresija, slobodni nosilac naelektrisanja. 1552099 10.2298/NTRP1402123J 1552101 1451-3994 2023-06-05T05:59:23.432Z 44 no 46 Uroš G. Jakšić Nebojša B. Arsić person 0000-0003-2080-9440 Irfan S. Fetahović Državni univerzitet u Novom Pazaru person 94595849 0000-0001-5788-1273 Koviljka Dj. Stanković person 0000-0002-5871-7966 application/pdf 430861 https://phaidrabg.bg.ac.rs/o:29980 no yes 1 70 92000001 20A01 Nuclear Technology & Radiation Protection 29 2 123 127 2014