Nuclear Technology & Radiation Protection 32(4) eng Keywords: non-volatile memory, radiation effect, resistive RAM, ferroelectric RAM, magneto-resistive RAM, phase change memory Ključne reči : postojana memorija, radijacioni efekat, rezistivna RAM, feroelektrična .RAM, magnetnorezistivna RAM, memorija sa promenom faze Abstract: In this paper we give an overview of radiation effects in emergent, non-volatile memory technologies. Investigations into radiation hardness of resistive random access memory, ferroelectric random access memory, magneto-resistive random access memory, and phase change memory are presented in cases where these memory devices were subjected to different types of radiation. The obtained results proved high radiation tolerance of studied devices making them good candidates for application in radiation-intensive environments. Sažetak: U ovom radu dat je pregled radijacionih efekata u novim, postojanim memorijskim tehnologijama. Prikazana su istraživanja radijacione otpornosti rezistivnih memorija sa slučajnim pristupom, feroelektričnih memorija sa slučajnim pristupom, magnetnorezistivnih memorija sa slučajnim pristupom i memorija sa promenom faze, u slučajevima kada su ove memorije podvrgnute različitim vrstama zračenja. Rezultati dokazuju visoku radijacionu toleranciju ispitivanih uređaja što ih čini dobrim kandidatima za primenu u radijaciono-intenzivnim okruženjima. All rights reserved info:eu-repo/semantics/article application/pdf 843816 bytes OVERVIEW OF RADIATION EFFECTS ON EMERGING NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGIES PREGLED RADIJACIONIH EFEKATA U NOVIM POSTOJANIM MEMORIJSKIM TEHNOLOGIJAMA https://phaidrabg.bg.ac.rs/o:29957 doi:10.2298/NTRP1704381F ISSN: 1451-3994 Fetahović, Irfan S. Dolićanin, Edin Ć. Lazarević, Djordje R. Lončar, Boris B. 2017